STP5NK40Z

STP5NK40Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在400V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的性能，这种架构为开关电源等应用中的高压侧开关提供了可靠的基础。

在功能特性上，该器件展现了SuperMESH技术的典型优势。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、1.5A漏极电流条件下典型值仅为1.8欧姆，这有助于显著降低导通损耗，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±30V，提供了较宽的驱动安全裕度。值得注意的是，该器件已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方ST代理商咨询替代方案或库存信息。

从接口与参数来看，STP5NK40Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其在壳温（Tc）25°C下的连续漏极电流（Id）额定值为3A，最大功率耗散为45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应较为严苛的环境。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@50A），属于标准逻辑电平驱动范围，可与常见的控制器直接兼容。这些参数共同定义了一个适用于中等功率等级、高压开关场景的稳健功率开关解决方案。

基于其400V的耐压和3A的电流能力，该MOSFET典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动中的辅助电源部分。其设计旨在为这些需要高效高压开关的领域提供核心功率转换功能，尽管已停产，但其设计理念和参数特性仍为理解同类高压MOSFET的选型提供了有价值的参考。

• 型号:STP5NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK40Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于高达400V的漏源击穿电压（Vdss）与低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这得益于其优化的高压技术，旨在降低高压应用中的导通损耗。

该器件在10V栅极驱动下，栅极电荷（Qg）典型值仅为17nC，有助于实现快速的开关切换，从而提升开关电源等应用的效率。其连续漏极电流额定值为3A（Tc），最大功耗45W（Tc），工作温度范围宽达-55°C至150°C（TJ），确保了在多种环境下的稳定运行能力。这些参数使其适用于需要高效高压开关的功率转换场景。