STP5NK50ZFP

STP5NK50ZFP是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心在于通过特殊的“超级网格”技术，有效降低了单元密度增加带来的寄生电容影响，从而在维持高开关速度的同时，显著改善了器件的导通特性。

该MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和浪涌冲击。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.2A漏极电流条件下典型值仅为1.5欧姆，这意味着在导通期间产生的传导损耗较低，有助于提升整体系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在28nC，结合535pF的输入电容（Ciss），表明器件具有较快的开关速度，有利于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在接口与参数方面，STP5NK50ZFP采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种封装提供了良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力可达70W（基于壳温Tc）。器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的栅极驱动抗干扰能力。其连续漏极电流（Id）在壳温条件下额定为4.4A，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关服务。

凭借其高耐压、良好的导通与开关特性以及坚固的封装，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动辅助电源等场景。在这些应用中，它能够有效承担功率转换的核心任务，帮助设计者实现高可靠性、高能效的电源解决方案。

• 型号:STP5NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP5NK50ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和4.4A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的耐压和电流处理能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.5欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大28nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有利于提升开关电源的工作频率和效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步保障了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。