STP5NK65Z

STP5NK65Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和外延层技术，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在650V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

得益于SuperMESH技术，该MOSFET具备优异的开关性能与导通特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.1A电流条件下典型值仅为1.8欧姆，有助于减少通态损耗，提升整体能效。栅极电荷（Qg）最大值低至35nC（@10V），结合680pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现高速开关并降低驱动电路的复杂度与损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

在电气参数方面，STP5NK65Z在壳温（Tc）条件下可连续通过5A的漏极电流，最大功率耗散为85W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了在通常的驱动电压下可靠开启。器件采用标准的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。用户可通过授权的ST代理商获取该产品的详细技术资料与库存信息。

这款MOSFET主要面向中高功率的开关电源应用。其650V的高耐压特性使其非常适合用于离线式反激、正激或功率因数校正（PFC）等AC-DC变换器的初级侧开关。此外，在电子镇流器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）以及工业照明等需要高效能功率开关的场合，它也能发挥关键作用。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在特定存量项目或对长期供货有保障的领域仍具参考价值。

• 型号:STP5NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP5NK65Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格为650V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）与仅35nC的栅极电荷（Qg），这共同确保了较低的导通损耗与快速的开关速度，有助于提升电源系统的整体效率。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了系统的鲁棒性。

综合其高耐压、良好的导通与开关特性，STP5NK65Z主要定位于开关模式电源（SMPS）、功率因数校正及工业控制等领域的功率开关角色，是一款针对高效能需求设计的功率半导体解决方案。