STP5NK80ZFP

STP5NK80ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其核心在于通过精细的栅极结构和均匀的电流分布，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压工作条件下的长期可靠性。这种架构设计使其特别适合于需要高效能开关和稳健性的功率转换应用。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压尖峰和浪涌。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.15A电流条件下典型值仅为2.4欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，最大栅极电荷（Qg）为45.5nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在接口与参数层面，STP5NK80ZFP采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种封装形式便于安装散热器，其在壳温（Tc）条件下的最大连续漏极电流（Id）为4.3A，最大功耗为30W。宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要本地技术支持与稳定供货链的客户，可以通过ST中国代理获取详细的技术支持、样品申请及批量采购服务。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，该器件广泛应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动控制等场景。在诸如液晶电视电源、PC电源、适配器和工业照明驱动器中，它能够有效提升功率密度和整体能效，是工程师设计高性能、高可靠性功率系统的优选元件之一。

• 型号:STP5NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP5NK80ZFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP5NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源击穿电压与低至2.4欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升系统效率。

其电气参数设计均衡，最大栅极电荷（Qg）为45.5nC，有利于实现快速开关并控制开关损耗。器件采用TO-220FP通孔封装，在壳温条件下支持4.3A的连续漏极电流和30W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种环境下的可靠性与耐用性。