STP60NF06FP

STP60NF06FP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220FP封装，其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡。通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，该MOSFET在硅片层面实现了低比导通电阻（RDS(on)）与低栅极电荷（Qg）的良好折衷，这是提升开关电源和电机驱动等应用效率的关键。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）为60V，适用于常见的48V及以下总线电压系统。在壳温（Tc）25°C条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达30A，展现出强大的电流处理能力。更值得关注的是其导通性能，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，导通电阻最大值仅为16毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力，而±20V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。

在动态参数方面，在10V Vgs条件下，栅极总电荷（Qg）最大值为66nC，结合1810pF（@25V Vds）的输入电容（Ciss），表明该器件具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提升系统工作频率。其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至175°C，适应严苛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的开发者，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品的技术支持和供货保障。

基于其参数组合，STP60NF06FP非常适合应用于对效率和功率密度有要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、低压电机驱动控制器（如电动工具、风扇）、不间断电源（UPS）的功率级以及各类电子负载的开关控制。其TO-220FP封装提供了良好的散热路径，便于通过散热器管理高达30W（Tc）的功率耗散，是构建紧凑、高效功率系统的可靠选择。

• 型号:STP60NF06FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP60NF06FP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP60NF06FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其优异的导通与开关性能平衡。

其关键参数包括60V的漏源电压（Vdss）和30A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）低至16毫欧（@30A），有效降低了导通损耗。同时，66nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg）有利于实现快速开关，提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等中功率应用的理想功率开关解决方案。