STW160N75F3

STW160N75F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-247-3封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟槽栅极结构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，从而在75V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够处理高达120A（Tc）的连续漏极电流。

该MOSFET的一个突出特点是其极低的导通损耗。在10V驱动电压、60A电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为85nC，结合6750pF（@25V）的输入电容，表明器件具备良好的开关特性，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗和开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STW160N75F3的阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散能力为330W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），赋予了其强大的热管理和可靠性潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关产品信息与库存服务。

得益于其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，STW160N75F3非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的工业与汽车领域。典型应用场景包括大电流DC-DC转换器、电机驱动控制器（如伺服驱动、电动工具）、不间断电源（UPS）系统中的功率开关模块，以及各类电源和逆变器设计。其TO-247封装也便于在需要强散热能力的场合安装散热器。

• 型号:STW160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW160N75F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装。该器件隶属于STripFET产品系列，其核心优势在于75V漏源电压（Vdss）下具备120A的高连续电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值4mΩ @ 60A, 10V），能显著降低功率应用中的传导损耗。

此外，该MOSFET的栅极电荷（Qg）最大值为85nC，结合其330W（Tc）的高功率耗散能力与-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了其在开关电源、电机驱动等高要求场景中兼具高效的开关性能和出色的热可靠性。这些特性使其成为工业电源和动力系统设计中追求高效率与高功率密度的理想选择。