STP60NF10

STP60NF10是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化的单元结构和布局，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。内部架构确保了优异的雪崩耐量和坚固性，为在各种工作条件下提供稳定可靠的性能奠定了基础。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D）能力，使其能够从容应对高功率应用中的电压和电流应力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下典型值仅为23毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通压降和发热量，显著提升了能效。同时，其栅极电荷（Q_G）被控制在较低水平（典型104nC @ 10V），这有助于降低驱动电路的功率需求，并实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

在接口与参数方面，STP60NF10采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热处理。其栅极驱动电压（V_GS）范围宽达±20V，但标准驱动电压为10V，在此条件下可获得最佳的导通性能。器件的最大栅源阈值电压（V_GS(th)）为4V，提供了良好的噪声抑制能力。其输入电容（C_iss）为4270pF，结合低栅极电荷，使其易于被常见的PWM控制器驱动。在壳温（T_C）条件下，其最大功耗可达300W，展现了强大的功率处理能力。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，STP60NF10非常适合应用于对效率和可靠性要求严苛的领域。它常见于各类开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制器（如电动工具、工业电机）、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）等系统中。在这些应用中，它能够有效提升系统效率，减少散热设计压力，并确保长期运行的稳定性。

• 型号:STP60NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP60NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为100V漏源电压（Vdss）与80A连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为23毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（典型104nC @ 10V）有助于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率、高可靠性的功率转换和电机驱动应用的理想选择。