STP6N52K3

STP6N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在525V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET的显著特性在于其优异的动态与静态性能组合。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，当漏极电流为2.5A时，最大值仅为1.2欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下为26nC，结合670pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而降低开关损耗。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数与物理接口上，STP6N52K3标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为5A，最大功率耗散能力为70W（Tc）。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（在50A漏极电流下测试），属于标准逻辑电平驱动范畴，便于与常见的控制器接口。器件采用经典的TO-220通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热性能，便于通过散热器进行热管理，其结温（TJ）最高可工作至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在选型时需考虑供应链的替代方案，可通过正规的ST授权代理查询库存或获取技术支援。

得益于525V的高压耐受能力和良好的开关特性，这款MOSFET非常适用于需要高效功率转换和管理的离线式开关电源（SMPS）初级侧应用，例如反激式或正激式变换器中的主开关管。它也同样适用于功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器、电机驱动辅助电源以及工业控制设备中的高压开关环节。其设计在追求能源效率与功率密度的应用中，能够有效提升整体系统的性能表现。

• 型号:STP6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下5A的连续漏极电流（Id）承载能力。

该MOSFET在10V栅极驱动下展现出较低的导通电阻（最大值1.2欧姆 @ 2.5A），有助于减少导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为26nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散为70W（Tc），最高工作结温为150°C，为高压功率转换设计提供了可靠的解决方案。