STP6N62K3

STP6N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。其核心在于通过降低单元密度并优化电流路径，显著降低了导通损耗，同时通过改进的栅极结构有效控制了开关过程中的电荷注入，从而兼顾了静态损耗与动态性能。

该MOSFET的显著特性体现在其高压与高效率的结合上。其额定漏源电压（V_DSS）高达620V，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其最大导通电阻仅为1.2Ω（测试条件：I_D=2.8A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，最大值为34nC（@10V），这意味着驱动电路所需的开关能量更少，有助于简化驱动设计并降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在电气参数与物理接口方面，该器件在25°C壳温（T_C）下的连续漏极电流（I_D）额定值为5.5A，最大允许栅源电压（V_GS）为±30V，提供了稳健的驱动容限。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力。封装采用业界标准的TO-220AB通孔封装，这种封装形式具有良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散为90W（T_C），结合高达150°C的最大结温（T_J），使其能够在严苛的热环境下稳定工作。对于需要本地技术支持和供货保障的用户，可以通过ST中国代理获取详细的技术资料和供应链服务。

基于其性能组合，STP6N62K3非常适用于需要高效率和高可靠性的中功率开关场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及家用电器中的功率转换模块。其优异的R_DS(on)与Q_g平衡特性，使其成为追求高功率密度和低成本解决方案的设计工程师的理想选择，特别是在反激式、正激式等主流拓扑结构中表现卓越。

• 型号:STP6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其620V的高耐压与低至1.2Ω（@10V V_GS）的导通电阻，这确保了在高压应用中具备出色的导通效率和功率处理能力。

同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为34nC，有效降低了开关损耗，提升了高频工作下的整体能效。采用TO-220AB通孔封装，支持高达5.5A的连续漏极电流和90W的功率耗散，结合150°C的最高工作结温，为设计提供了坚实的可靠性和散热裕度。