PD57045-E

PD57045-E是ST意法半导体推出的一款高性能射频功率晶体管，专为工作在945MHz频段附近的高功率、高效率应用而设计。该器件基于先进的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）工艺技术构建，这一架构在射频功率放大领域以其出色的功率密度、线性度和可靠性而闻名。其设计旨在优化高频下的功率输出与效率平衡，为基站、广播等基础设施设备提供核心的功率放大解决方案。

该芯片的核心功能特性体现在其卓越的功率处理能力上，在28V典型工作电压下，能够稳定输出高达45W的射频功率，同时提供14.5dB的功率增益，这显著降低了驱动级的设计复杂度与成本。其65V的高额定击穿电压提供了充足的电压余量，增强了系统在负载失配等恶劣条件下的鲁棒性与长期可靠性。器件采用PowerSO-10封装，并带有裸露的底部焊盘，这种封装设计不仅优化了高频性能，还极大地提升了散热效率，确保芯片在高功率运行时结温可控，这对于维持性能稳定和延长使用寿命至关重要。

在接口与关键参数方面，PD57045-E的测试条件（250mA测试电流，28V测试电压）清晰地界定了其性能评估基准。其5A的额定电流能力，配合945MHz的中心频率，使其非常适合用于窄带或宽带的高功率放大链路。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。该芯片主要面向需要高输出功率和良好线性度的专业射频应用场景，例如UHF频段的陆地移动无线电基站功率放大器、专业通信系统的末级功放，以及工业加热、等离子体生成等特定射频能量应用。其坚固的设计和稳定的性能使其成为要求苛刻的工业与通信基础设施项目的理想选择。

• 型号:PD57045-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:45W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
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PD57045-E是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，属于有源器件。其核心设计针对945MHz频段的高功率应用，在28V工作电压下可实现45W的射频功率输出，并具备14.5dB的增益，有效简化了前级驱动电路的设计。

该器件采用PowerSO-10封装，裸露焊盘设计优化了散热性能。其65V的高额定电压和5A的电流处理能力，确保了在严苛工作条件下的高可靠性与稳定性，主要适用于专业通信基站、广播发射及工业射频能量系统等对功率和效率有严格要求的领域。