STP16NK65Z

STP16NK65Z是ST意法半导体基于其成熟的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和沟槽几何形状，在维持高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。这种架构的核心优势在于实现了低栅极电荷与低导通电阻之间的出色平衡，这对于提升开关电源等高频应用的整体效率至关重要。其内部结构设计有效控制了寄生电容，特别是输入电容，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

该器件具备650V的漏源击穿电压，为离线式开关电源、功率因数校正等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动或感性负载开关过程中的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为13A，峰值电流处理能力更强。其导通电阻在10V驱动电压、6.5A电流条件下典型值仅为500毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗极低。栅极阈值电压最大值为4.5V，结合±30V的最大栅源电压范围，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。其栅极总电荷在10V条件下最大为89nC，属于较低水平，有助于实现快速开关并降低驱动电路的功率需求。对于需要技术支持或批量采购的客户，可以咨询专业的ST中国代理获取详细的支持。

STP16NK65Z采用经典的TO-220AB通孔封装，这种封装形式机械强度高，热性能优异，便于通过散热器进行高效的热管理。其最大功率耗散在壳温条件下可达190W，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的环境条件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能在诸多存量设计和特定应用中仍被广泛认可。其高耐压、低导通损耗和良好的开关特性，使其非常适用于需要高效能量转换的中高功率场合。

在应用层面，这款MOSFET的传统优势领域包括开关模式电源的初级侧开关、功率因数校正电路、电机驱动逆变器以及高频焊接设备等。在这些场景中，器件需要频繁地在高电压下进行开关操作，其对低栅极电荷和低导通电阻的优化设计能直接转化为更高的系统效率和更小的散热器尺寸。对于新设计，工程师通常会转向ST推荐的替代型号，但对于维护、升级或基于成本考虑的特定项目，理解STP16NK65Z的参数特性仍有其价值。

• 型号:STP16NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP16NK65Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP16NK65Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心参数包括650V的漏源电压和13A的连续漏极电流，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动下，导通电阻低至500毫欧，有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷最大仅为89nC，有利于实现高速开关并降低驱动功耗。器件采用TO-220AB封装，最大功耗190W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力和环境适应性。