STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-92-3通孔封装。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高耐压与低栅极电荷之间的优异平衡。通过优化的单元结构和制造工艺，它在维持紧凑封装尺寸的同时，提供了高达800V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够在高压环境下稳定工作，有效抑制电压尖峰带来的风险。

该器件的功能特性围绕高效率与可靠性展开。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、500mA漏极电流条件下典型值为16欧姆，有助于降低导通状态下的功率损耗。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为7.7nC，结合160pF的典型输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较低，有利于提升开关速度并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。在热管理方面，器件在管壳温度（Tc）下可支持3W的最大功率耗散，结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。

在电气参数上，STQ1NK80ZR-AP的连续漏极电流（Id）在Tc条件下为300mA，阈值电压Vgs(th)最大为4.5V，这使其能够与常见的逻辑电平或微控制器IO端口兼容，便于驱动。这些参数共同定义了一个适用于中小功率高压场合的开关解决方案。用户可以通过官方授权的ST代理渠道获取完整的技术支持与供应保障。

基于其高压、低栅荷及TO-92封装的特性，该MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的辅助启动电路、功率因数校正（PFC）的缓冲电路、电子镇流器、以及家用电器和工业控制设备中的高压侧开关或继电器驱动。它为设计工程师在需要高压隔离和高效开关的紧凑型设计中，提供了一个高性价比且可靠的半导体选择。

• 型号:STQ1NK80ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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STQ1NK80ZR-AP是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道MOSFET，采用TO-92-3通孔封装。其核心优势在于高达800V的漏源电压（Vdss）与低至7.7nC的栅极电荷（Qg），在高压应用中实现了开关效率与可靠性的良好结合。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为16欧姆@500mA，有助于减少导通损耗。其300mA的连续漏极电流（Tc）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），使其能够适应苛刻的环境要求。这些特性使其成为离线电源、照明电子和工业控制等高压、中小功率开关应用的理想选择。