STF5N95K3

STF5N95K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220FP通孔封装，专为在高电压、高效率的应用环境中提供可靠的开关性能而设计。其核心架构通过优化的单元结构和沟槽工艺，在实现高达950V漏源击穿电压（Vdss）的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而在高压开关应用中兼顾了耐压能力与导通损耗。

该器件在25°C壳温（Tc）下可提供4A的连续漏极电流，其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下典型值仅为3.5欧姆，这一特性得益于SuperMESH3技术对电荷平衡和电场分布的精细控制。较低的栅极电荷（Qg，最大值19nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值460pF @ 25V）意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，这不仅简化了驱动电路的设计，还有助于提升系统的整体开关频率和效率，减少开关损耗。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了较强的抗干扰能力和设计裕度。

在电气参数方面，STF5N95K3展现了出色的稳健性。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V @ 100A，确保了明确的导通与关断状态。器件最大功率耗散能力为25W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应苛刻的热环境。TO-220FP封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于通过散热器进行热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的设计项目，可以通过官方授权的ST中国代理获取该器件以及完整的设计资源。

凭借950V的高耐压和优化的动态特性，STF5N95K3非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等应用场景。在这些领域中，它能够有效处理高压母线，并提供高效、稳定的功率开关解决方案，有助于提升终端产品的能效等级和可靠性。

• 型号:STF5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF5N95K3是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-220FP封装，属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其950V的漏源击穿电压（Vdss）与3.5欧姆（@10V，2A）的低导通电阻（Rds(on)）的良好结合，专为要求高耐压和低导通损耗的应用而优化。

其动态特性同样出色，最大栅极电荷（Qg）仅为19nC，输入电容（Ciss）最大值为460pF，这有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件在25°C壳温下可承受4A的连续电流，最大功率耗散为25W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于开关电源、照明及工业控制等高压功率开关领域。