STP6N95K5

STP6N95K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计目标是在高达950V的漏源电压（Vdss）下提供稳定可靠的开关性能，同时将传导损耗降至最低，这使其成为高压功率转换应用中的高效解决方案。

该器件的一个显著特点是其卓越的开关特性与坚固性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A漏极电流条件下典型值仅为1.25欧姆，这直接转化为更低的通态损耗和更高的整体能效。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为13nC，配合适中的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量更少，这不仅简化了栅极驱动电路的设计，还能有效降低开关损耗，提升系统在高频工作下的效率。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统在复杂电磁环境中的鲁棒性。

在电气参数方面，STP6N95K5在壳温（Tc）条件下可支持高达9A的连续漏极电流，最大功率耗散为90W。其阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了可靠的导通与关断控制。器件采用标准的TO-220-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以应对大功率应用。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购服务。

凭借950V的高耐压和SuperMESH5技术带来的高效能，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）级和主开关拓扑、工业照明中的电子镇流器、以及UPS和太阳能逆变器等可再生能源系统的功率转换部分。在这些场景中，它能够有效处理高压母线，实现高效的电能转换，同时其坚固的设计有助于提升终端产品的长期可靠性。

• 型号:STP6N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 9A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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STP6N95K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高压环境，其核心规格包括950V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温下9A的连续漏极电流承载能力。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.25欧姆，有助于降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（13nC）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，从而提升系统整体效率。器件采用TO-220-3封装，提供良好的功率处理能力和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。