STP8N90K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STP8N90K5是一款采用先进超结技术的高压N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和创新的垂直结构，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用TO-220封装，为通孔安装提供了便利，其内部结构经过精心设计，以优化电荷平衡和电场分布，从而在高压开关应用中实现快速、高效的性能。

该器件的一个突出特点是其900V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达8A，结合其优化的动态特性，确保了在连续和脉冲工作模式下的高电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压下达到最小化，这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率。此外，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V @ 100A，提供了良好的噪声免疫性和易驱动性，而±30V的最大栅源电压则增强了其鲁棒性。

在接口与关键参数方面，STP8N90K5的最大结温（TJ）范围为-55°C至150°C，适应宽泛的工作环境。其最大功率耗散为130W（Tc），结合TO-220封装良好的热性能，便于通过散热器进行有效的热管理。这些参数共同定义了一个坚固且可靠的功率开关解决方案。用户可以通过授权的ST代理商获取该器件，以确保获得正品和技术支持。

得益于其高耐压、低损耗和坚固耐用的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求苛刻的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、工业电机驱动和逆变器、照明镇流器以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减小解决方案尺寸，并增强长期运行的可靠性，是工程师设计高效、紧凑型高压功率系统的优选器件。

• 型号:STP8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP8N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），专为高效的高压开关应用而设计。

其技术优势在于实现了高击穿电压与低导通损耗的优异结合，最大结温可达150°C，功率耗散能力为130W，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高性能功率转换系统的理想选择。