STP6NK70Z

STP6NK70Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用成熟的平面MOSFET技术，通过优化的单元结构和先进的制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心设计旨在有效管理高电压下的电场分布，从而在维持700V高耐压的同时，将导通损耗控制在较低水平，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET的功能特性围绕其高压开关性能展开。高达700V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对交流线路电压波动及开关过程中产生的电压尖峰，为反激式、正激式等离线开关电源拓扑提供可靠的电压裕量。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在导通期间由器件本身产生的功耗更小，有助于降低温升并提升系统能效。此外，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数经过优化，有助于实现较快的开关速度，减少开关过渡期的损耗，但同时也需注意驱动电路的设计以抑制可能产生的电压振荡。

在电气参数方面，STP6NK70Z在壳温（Tc）25°C条件下的连续漏极电流（Id）额定值为5A，最大功耗为110W，为其在高功率密度应用中处理瞬时或持续电流提供了保障。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值适中，确保了与常见控制器驱动电平的良好兼容性。±30V的最大栅源电压（Vgs）提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以应对高功耗场景。用户可通过ST授权代理获取完整的技术资料、样品支持与供货信息。

得益于其高压、低损耗的特性组合，STP6NK70Z非常适合应用于需要高效功率转换和管理的领域。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关，如PC电源、适配器、电视机电源等；功率因数校正（PFC）电路；以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。其稳健的设计使其成为工程师在构建高可靠性、高效率的AC-DC功率转换系统时的一个经典选择。

• 型号:STP6NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP6NK70Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其700V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻特性，能够在高压开关应用中有效降低导通损耗，提升系统效率。

其电气参数针对离线电源应用进行了平衡，在10V栅极驱动下具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现快速的开关切换。器件额定连续漏极电流（Id）为5A（Tc），最大功耗110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行与功率处理能力。