STP6NK90ZFP

STP6NK90ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺，通过优化的单元结构和制造工艺，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在900V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的性能，这使其在高压开关应用中成为可靠的选择。

该器件的显著特性在于其卓越的动态性能与稳健性。得益于SuperMESH技术，它在保持高阻断电压的同时，将导通电阻（Rds(On)）控制在较低水平，典型值为2欧姆（在2.9A，10V条件下），这有助于降低导通损耗，提升整体能效。其栅极电荷（Qg）最大值仅为60.5nC，结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于高频开关电源的设计。此外，器件支持高达±30V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力，增强了系统在复杂电磁环境下的可靠性。

在电气参数方面，STP6NK90ZFP在25°C壳温下连续漏极电流（Id）额定值为5.8A，最大功率耗散为30W。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了与标准逻辑电平或驱动IC的良好兼容性。器件采用TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装封装，具有良好的机械强度和散热能力，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式变换器的主开关管、电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等场景。它在要求高电压处理和中等电流能力的场合，能够有效提升电源系统的功率密度和效率，是工程师设计高效、紧凑型高压功率转换方案的优选器件之一。

• 型号:STP6NK90ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP6NK90ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装，属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其高达900V的漏源击穿电压（Vdss）与5.8A的连续漏极电流能力，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于通过优化的结构实现了低导通电阻（典型2Ω @ 10V）与低栅极电荷（最大60.5nC）的结合，这直接转化为更低的导通损耗和更快的开关速度，有助于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备±30V的栅极耐压，确保了在恶劣环境下的稳定性和驱动可靠性。