STP75NF68

STP75NF68是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，通过优化单元结构和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与栅极电荷，从而在功率密度和开关效率之间取得了出色的平衡。其核心架构旨在最大限度地减少传导和开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为68V，能够稳定工作在常见的48V及以下总线电压系统中，并提供充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）高达80A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为14毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在75nC，有助于降低栅极驱动电路的损耗并提升开关速度，使得器件在高频开关应用中也能保持高效。

在接口与参数方面，STP75NF68采用经典的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热处理。其栅极驱动电压范围宽，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了驱动的鲁棒性。器件的热性能同样可靠，最大功耗可达190W（壳温条件），结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关技术资料与库存信息。

凭借高电流、低导通电阻和良好的开关特性，STP75NF68非常适用于对效率和功率密度有较高要求的DC-DC转换器、电机驱动控制器以及各类电源管理模块。例如，在服务器电源、工业变频器、电动工具以及大电流同步整流电路中，它都能作为核心开关元件，有效提升系统性能。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它依然是一款经过市场验证的经典功率器件选择。

• 型号:STP75NF68
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 80A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP75NF68是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220-3封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。

其关键参数包括68V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流。最突出的特性是在10V Vgs、40A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为14毫欧，配合75nC（最大值）的低栅极电荷，共同确保了器件在高功率应用中的高效能与快速开关响应。这些特性使其成为中大功率开关电源和电机驱动应用的理想选择。