STP7N52DK3

STP7N52DK3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperFREDmesh3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面MOSFET结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）以及输出电容（Coss）之间的出色平衡。这种架构的核心优势在于显著降低了开关损耗和传导损耗，使其在高频开关应用中能够维持高效率运行，同时确保了器件在高达525V的漏源电压（Vdss）下的长期可靠性。

该MOSFET的突出特性体现在其优异的电气参数上。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达6A，而驱动电压仅为10V，便于驱动电路设计。在10V栅源电压（Vgs）、3A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至1.15欧姆，这直接转化为更低的通态功率损耗。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了良好的噪声免疫能力。开关性能方面，在10V Vgs下，最大栅极总电荷（Qg）仅为33nC，配合最大870pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动需求低，能够实现快速的开通与关断，减少开关过渡时间，进一步提升系统效率。

在封装与可靠性方面，STP7N52DK3采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功耗（Pd）在壳温条件下为90W，结温（Tj）最高可支持150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。虽然该产品目前已处于停产状态，但其设计代表了当时高压MOSFET的成熟解决方案。对于需要此类规格元器件的设计，用户可以通过授权的ST芯片代理咨询可替代的升级型号或库存信息。其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，使其非常适用于需要高效能量转换的中等功率场合。

基于上述技术特点，该器件主要面向离线式开关电源（SMPS）的功率级，如反激式、正激式变换器中的主开关管。它也适用于功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制中的逆变桥臂以及高频照明镇流器等应用。在这些场景中，其525V的耐压值提供了充足的电压裕量以应对线路浪涌，而优化的动态参数有助于提升整体电源的功率密度和能效等级，是工程师构建高效、紧凑型电力电子系统的经典选择之一。

• 型号:STP7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP7N52DK3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP7N52DK3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于SuperFREDmesh3产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心规格包括525V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温条件下6A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.15欧姆（@3A），有助于降低传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值为33nC，输入电容（Ciss）最大为870pF，确保了较低的栅极驱动需求和快速的开关速度，从而有效降低开关损耗，提升系统整体效率。