STP7N60M2

STP7N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了导通电阻和开关损耗。其内部架构专为高效能量转换而设计，沟槽结构有效减小了单元尺寸，从而在给定的芯片面积内实现了更低的特定导通电阻（Rds(on)），这是其高性能表现的核心物理基础。

得益于MDmesh II Plus技术，该MOSFET展现出卓越的开关性能与导通特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达600V，确保了在高压应用中的可靠隔离与工作安全性。在25°C壳温下，连续漏极电流（Id）额定值为5A，结合最大仅950毫欧的导通电阻（在2.5A，10V Vgs条件下），意味着在导通期间产生的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8.8nC（@10V），输入电容（Ciss）也较低，这共同带来了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使得它特别适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，该器件设计有良好的易用性。其栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，以实现最小导通电阻，最大栅源电压耐受值为±25V，提供了充足的驱动安全裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备一定的抗噪声干扰能力。其封装采用经典的TO-220通孔形式，便于安装散热器，在壳温（Tc）条件下最大功率耗散可达60W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C），保证了器件在苛刻环境下的稳定运行与散热管理灵活性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取此型号产品。

综合其高压、低损耗、快速开关的特性，STP7N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动中的辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升电源密度和能效，同时凭借其稳健的设计满足长期可靠性的要求。

• 型号:STP7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。一方面，导通电阻（Rds(on)）低至950毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗；另一方面，极低的栅极电荷（8.8nC）和输入电容确保了快速的开关瞬态，从而降低开关损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下仍能保持高效稳定运行，非常适合用于提升开关电源和功率转换系统的整体能效与功率密度。