STP7N90K5

STP7N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，有效降低了单位面积的特定导通电阻（Rds(on) * Area），从而在高压应用中显著提升了能效和功率密度。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其900V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电网电压波动和开关过程中的电压尖峰，提供了宽裕的安全裕量。在导通性能方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，使得电源设计能够实现更高的功率密度和更快的动态响应。

在接口与参数层面，STP7N90K5采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下可达7A，最大功耗为110W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。其栅极驱动电压范围宽，最大可承受±30V的栅源电压，增强了抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、低损耗和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于要求严苛的功率转换领域。其主要应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动的逆变器和变频器、照明系统的电子镇流器以及UPS（不间断电源）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，减小散热器尺寸，并增强系统在高压条件下的长期稳定性。

• 型号:STP7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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STP7N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高能效应用，其核心优势在于提供了900V的漏源电压（Vdss）和经过优化的低导通电阻，这使其在导通期间的功率损耗显著降低。

此外，该MOSFET具备7A的连续漏极电流能力和低栅极电荷特性，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。其采用TO-220封装，最大功耗为110W，工作温度范围宽（-55°C ~ 150°C TJ），确保了在工业级电源转换和电机控制等应用中的鲁棒性和长期可靠性。