STP7NK40Z

STP7NK40Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理功率转换过程中的开关损耗和传导损耗，为设计工程师提供了一个高效可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在高压应用中表现出色。400V的漏源击穿电压（Vdss）确保了其在离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）等常见高压拓扑中的稳定工作裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、2.7A漏极电流条件下典型值仅为1欧姆，这一低导通特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升系统整体能效并减少热管理需求。此外，最大26nC的栅极总电荷（Qg）和535pF的输入电容（Ciss）参数，意味着器件具有较快的开关速度，能够有效降低开关过程中的动态损耗，尤其适用于高频开关应用。

在接口与参数方面，STP7NK40Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时额定值为5.4A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的驱动安全范围。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大为4.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由常见的PWM控制器直接或通过简单驱动电路进行控制。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合70W（Tc）的最大功率耗散能力，赋予了其强大的环境适应性和鲁棒性。对于需要本地技术支持与稳定供应的用户，可以联系ST中国代理获取详细的产品资料、应用支持与供应链服务。

基于其性能参数，STP7NK40Z非常适合应用于对效率和成本有较高要求的功率电子设备中。典型应用场景包括工业级和消费类开关电源的初级侧主开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动控制中的辅助电源以及不间断电源（UPS）的功率级。其优异的性能平衡使其成为工程师在开发400V级中低功率密度电源产品时的一个经典型号选择。

• 型号:STP7NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7NK40Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和5.4A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1欧姆@2.7A，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大26nC）和输入电容（Ciss，最大535pF）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并降低动态损耗。这些特性共同指向高效、可靠的功率转换设计目标。