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ULN2067B

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
原厂封装:封装:16-PowerDIP(20x7.10)
优势价格,ULN2067B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ULN2067B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ULN2067B是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高可靠性、高集成度的达林顿晶体管阵列芯片。该器件采用成熟的16引脚PowerDIP通孔封装,其内部集成了四个独立的NPN达林顿对管,每个通道均设计有共发射极结构,并集成了用于感性负载续流的钳位二极管。这种架构使其能够直接由微控制器、逻辑电路或数字I/O端口驱动,无需复杂的中间缓冲电路,极大地简化了系统设计并提升了驱动能力的可靠性。

该芯片的核心优势在于其强大的电流驱动与高压耐受能力。每个达林顿通道的集电极连续电流额定值高达1.75A,集电极-发射极击穿电压(VCEO)达到80V,使其能够轻松驱动继电器、步进电机、螺线管、白炽灯等各类中大功率负载。其饱和压降典型值较低,在基极电流为2.25mA、集电极电流为1.5A的条件下,VCE(sat)最大值仅为1.5V,这意味着在导通状态下,芯片自身的功耗较低,有助于提升整体系统的能效和热稳定性。其工作温度范围覆盖-20°C至85°C,确保了在工业级应用环境下的稳定运行。

在接口与参数方面,ULN2067B的输入侧兼容标准的TTL和5V CMOS逻辑电平,输入引脚内部集成了串联电阻,可直接与微控制器引脚相连。输出端为开集电极结构,提供了极大的设计灵活性,用户可根据负载需求配置上拉电源电压。每个输出通道都集成了用于抑制反电动势的续流二极管,当驱动感性负载时,可以有效地保护芯片免受关断瞬态高压的冲击。其封装为带有散热片的16-PowerDIP,便于通过PCB铜箔或外部散热器进行热管理,最大总功耗为1W。对于需要稳定货源和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST一级代理进行采购,以确保产品的正品品质和供应链安全。

得益于其高集成度、强驱动和易用性,ULN2067B广泛应用于需要多路、中功率开关控制的场合。典型应用包括工业自动化控制系统中的继电器/接触器驱动板、办公自动化设备(如打印机、复印机)中的电机与电磁阀控制、汽车电子中的负载驱动模块,以及测试测量设备中的多路信号切换等。它作为连接低压控制电路与高压大功率负载之间的理想“桥梁”器件,在简化设计、提高系统可靠性和降低成本方面发挥着关键作用。

  • 型号:ULN2067B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):-
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
  • 功率 - 最大值:1W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
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ULN2067B是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列,采用16引脚PowerDIP通孔封装。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对,每个通道可提供高达1.75A的连续集电极电流和80V的集电极-发射极击穿电压,具备强大的负载驱动能力。

其设计针对直接接口微控制器和逻辑电路进行了优化,输入兼容TTL/5V CMOS电平,并内置输入电阻和输出续流二极管。在1.5A电流下,其最大饱和压降仅为1.5V,确保了高效的低功耗开关操作。这些特性使其成为驱动继电器、电机、螺线管及指示灯等多路中功率负载的理想解决方案,广泛应用于工业控制、汽车电子和办公自动化设备等领域。

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