STF10N80K5

STF10N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5系列技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的优异平衡。其核心在于采用了创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关特性，为高效率功率转换应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力与浪涌冲击，提升了系统的可靠性。在导通特性方面，其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压、4.5A电流条件下典型值仅为600毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗被控制在很低的水平。配合最大仅22nC的栅极总电荷（Qg），器件可以实现快速的开关切换，有效降低开关损耗，这对于提升开关电源的整机效率至关重要。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，最大可承受±30V的栅源电压，为驱动电路设计提供了灵活性。

在封装与热管理方面，STF10N80K5采用TO-220FP绝缘型封装。这种封装不仅提供了良好的电气绝缘性能，其金属片可直接安装在散热器上，结合高达30W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在高功率工作状态下依然能维持稳定的结温。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的ST芯片代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和坚固的封装特性，这款器件非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明用电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统等场合。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减小散热器尺寸，并增强系统在复杂电网环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STF10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF10N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了可靠的耐压保障。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V驱动电压下，导通电阻（RDS(on)）最大值仅为600毫欧，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，从而有效控制开关损耗，提升整体能效。这些特性使其成为开关电源、功率转换及电机控制等高压高效场景的理想选择。