STP20N90K5

STP20N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单晶元上实现了超结（Super-Junction）特性，通过在漂移区引入交替的P型和N型柱，显著降低了导通电阻与栅极电荷的乘积（RDS(on) × QG），这一核心架构的革新是其在高压应用中实现高效率与低损耗的关键。其TO-220封装提供了坚固的机械结构和良好的散热路径，确保了器件在高功率耗散下的可靠性。

该MOSFET具备900V的漏源击穿电压（Vdss）与20A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够从容应对严苛的高压大电流环境。其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压、10A电流条件下典型值仅为250毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在40nC，结合±30V的宽栅源电压（Vgs）范围，有助于实现快速开关并简化驱动电路设计，降低开关损耗。这些特性共同构成了其在功率转换系统中的核心优势。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与技术咨询。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下的最大功率耗散为250W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了宽温域下的稳定工作能力。其输入电容（Ciss）在100V漏源电压下最大值为1500pF，阈值电压Vgs(th)最大为5V，这些参数为开关频率优化和驱动电平选择提供了明确的设计依据。通孔安装的TO-220封装是工业标准形式，便于在各类电源板卡上进行安装与散热管理。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP20N90K5非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC变换器、UPS（不间断电源）系统的功率转换模块、电机驱动与变频器中的高压开关，以及电焊机和照明镇流器等专业设备。在这些领域中，它能够有效提升系统整体能效与功率密度。

• 型号:STP20N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 20A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP20N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh K5技术制造，封装形式为TO-220。该器件核心规格为900V漏源电压（Vdss）和20A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其关键电气特性包括低至250毫欧的导通电阻（最大值 @ 10A, 10V）以及仅40nC的栅极电荷（最大值 @ 10V），这使其在导通损耗和开关损耗方面均有优异表现，有助于提升整体电源转换效率。器件支持高达250W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性。