STP7NK80Z

STP7NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在800V的漏源电压（Vdss）额定值下，器件仍能保持稳定的阻断能力和可靠性，这种设计对于应对开关电源中的电压尖峰和感性负载关断至关重要。

在功能特性上，这款MOSFET展现出卓越的功率处理效率。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.6A电流条件下典型值仅为1.8欧姆，这意味着在导通状态下的功率损耗被显著降低，有助于提升整体系统的能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在56nC，结合适中的输入电容（Ciss），使得开关过程中的驱动损耗得以优化，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了较强的抗干扰能力。

从接口与关键参数来看，STP7NK80Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以充分发挥其125W（Tc）的最大功率耗散能力。器件在壳温（Tc）条件下标称连续漏极电流（Id）为5.2A，并支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在严苛环境下的稳定运行。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范畴，与多数控制器兼容良好。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品与供货稳定的有效途径。

该器件典型的应用场景集中于需要高效能和高可靠性的中高功率领域。它非常适合用作离线式开关电源（SMPS）中的主开关管，例如在功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式变换器中。此外，在电子镇流器、工业电机驱动辅助电源、UPS（不间断电源）系统以及照明设备的驱动电路中，其800V的高压耐受能力和良好的开关特性也能发挥关键作用，帮助设计者构建更紧凑、更高效的功率转换解决方案。

• 型号:STP7NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，这得益于先进的芯片技术，旨在显著降低导通损耗，提升功率转换效率。

器件在10V驱动电压下，栅极电荷（Qg）典型值仅为56nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。其采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散能力达125W（Tc），连续漏极电流为5.2A（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在 demanding 应用环境下的鲁棒性和长期可靠性。