STB12NM50ND

STB12NM50ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过精细的单元几何结构和改进的工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性和雪崩耐量，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的显著特性包括高达500V的漏源击穿电压（Vdss），确保了其在离线式开关电源等高压环境下的可靠工作。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达11A，展现了较强的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在Vgs=10V， Id=5.5A时，Rds(on)最大值仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低驱动损耗并实现更快的开关速度，优化了高频应用下的性能。

在电气参数方面，该器件设计有宽泛的栅源驱动电压范围，最大可承受±25V，提供了良好的设计余量和抗干扰能力。其开启阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，有利于在标准逻辑电平下实现有效驱动。该器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装具有良好的热性能和功率耗散能力，在壳温（Tc）条件下最大功耗可达100W，结合高达150°C的结温（TJ），使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过授权的ST一级代理进行采购咨询。

凭借其高压、低导通电阻和高效率的特点，STB12NM50ND非常适用于要求苛刻的功率电子应用领域。其典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和直流-直流变换器中的主开关或同步整流，以及电机驱动控制、不间断电源（UPS）和电焊机等设备中的功率开关部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续升级型号提供了重要参考，在现有系统的维护或特定设计中仍具参考价值。

• 型号:STB12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB12NM50ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心规格为500V漏源电压（Vdss）与11A连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了基础保障。

其技术优势主要体现在优异的导通特性上，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为380毫欧，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）优化了开关性能，支持更高频率的开关操作，从而提升整体电源系统的功率密度和效率。