STP80N70F4

STP80N70F4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于先进的STripFET和DeepGATE技术平台构建，旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其核心架构通过优化的单元设计和沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻，同时保持了稳健的栅极控制特性，为功率开关应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在40A电流条件下最大仅为9.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在90nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。结合高达85A的连续漏极电流（Tc=25°C）和68V的漏源击穿电压（Vdss），器件能够处理可观的功率等级。

在电气参数方面，STP80N70F4具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C结温）和高达150W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了足够的驱动安全裕量。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，旨在平衡开关速度与电磁干扰（EMI）性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原厂技术支持与供货保障。

凭借其性能组合，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动与控制电路中的H桥或半桥拓扑、以及不间断电源（UPS）和逆变器系统中的功率转换模块。其TO-220AB封装形式兼顾了散热性能与安装便利性，是许多中高功率离线式设计的常用选择。

• 型号:STP80N70F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80N70F4是ST意法半导体基于STripFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下最大仅9.8mΩ，配合85A的连续漏极电流能力，可显著降低功率转换系统中的传导损耗。

器件额定漏源电压（Vdss）为68V，栅极电荷（Qg）最大90nC，有助于实现高效的开关性能。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为150W（Tc），确保了在工业电源、电机驱动等高要求应用中的稳定性和可靠性。