STP80NF55-06

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一款高性能功率器件，STP80NF55-06采用了先进的沟槽栅工艺技术。这种架构通过优化单元密度和沟槽设计，在单位面积内实现了极低的导通电阻，从而显著降低了传导损耗。其N沟道设计确保了器件在开关应用中具备高效的电流控制能力，为系统提供了坚实的性能基础。

该器件的核心优势体现在其卓越的电气性能上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，最大值仅为6.5毫欧（在40A条件下），这意味着在承载大电流时，由导通产生的压降和热量损耗被控制在极低的水平。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为189nC，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，开关损耗更低，这对于高频开关应用至关重要。结合高达300W（Tc）的功率耗散能力，器件在高功率密度设计中表现出色。

在接口与参数方面，STP80NF55-06提供了55V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了其在多种电压和电流条件下的工作可靠性。其栅源电压（Vgs）支持±20V的最大范围，提供了较宽的驱动安全裕度。采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热管理，其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）也使其能够适应苛刻的环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的ST一级代理进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。它常被用于DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源系统中的同步整流和功率开关环节。其稳健的性能使其成为工程师在设计中实现高效能、高可靠性功率转换的优选器件之一。

• 型号:STP80NF55-06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP80NF55-06是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括55V漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流，为高功率应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于极低的导通损耗与优秀的开关性能。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.5mΩ @ 40A，同时栅极电荷（Qg）低至189nC @ 10V。这一组合有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了系统整体效率。器件支持高达300W（Tc）的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。