STP8NK80Z

STP8NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和外延层技术，在单晶硅上实现了高密度的元胞结构，从而在确保高阻断电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻。其核心设计目标是在高压应用中平衡开关速度、导通损耗与雪崩耐量，内部集成了稳健的体二极管，为感性负载开关提供了可靠的续流路径。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，尤其适用于市电整流后或功率因数校正（PFC）电路中的高压母线环境。在导通特性方面，得益于SuperMESH技术，它在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这意味着在相同电流下能产生更小的导通损耗，有助于提升系统整体效率。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。此外，器件支持±30V的栅源电压范围，增强了抗栅极噪声干扰的能力。

在接口与参数层面，STP8NK80Z采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时可达6.2A，最大功耗为140W（Tc）。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动，可与多数控制器直接或通过简单电路接口。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高压、低导通电阻及良好的开关特性，STP8NK80Z非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、照明应用的电子镇流器、工业电机驱动辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率转换环节。在这些场景中，它能够有效处理高电压应力，同时保持较高的能源转换效率，是工程师构建高效、可靠高压功率开关电路的优选器件之一。

• 型号:STP8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP8NK80Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和6.2A的连续漏极电流（Id），专为需要处理高电压的功率开关应用而设计。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了较低的导通电阻（1.5Ω @ 3.1A, 10V）与合理的栅极电荷（46nC @ 10V），这有助于在降低导通损耗的同时，保持良好的开关性能。结合140W的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽工作结温范围，该器件为电源转换和电机控制等应用提供了坚固且高效的解决方案。