STP4NB50

STP4NB50是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，专为在高压、高效率的开关电源和功率转换应用中提供可靠的性能而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻（R_DS(on)）之间的平衡，确保了在500V高漏源电压（V_DSS）下，依然能实现较低的传导损耗。

该MOSFET的关键特性在于其优异的电气参数组合。其导通电阻最大值仅为2.8欧姆（在V_GS=10V， I_D=1.9A条件下），这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Q_g）典型值低至21nC，配合±30V的最大栅源电压（V_GS）容限，使得开关速度更快，驱动电路设计更为简便，有助于减少开关损耗并提升整体频率性能。其高达80W（T_C）的功率耗散能力和150°C的最大结温（T_J）则保证了器件在严苛工况下的稳定运行。

在接口与参数方面，STP4NB50标称连续漏极电流（I_D）为3.8A（T_C），栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，输入电容（C_iss）典型值为400pF。这些参数共同定义了器件的驱动要求和开关行为，使其非常适合由标准PWM控制器驱动的离线式电源拓扑。对于需要可靠元器件供应的中国区客户，可以通过授权的ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

得益于其高压、低损耗的特性，该器件主要面向各类离线式开关模式电源（SMPS），如PC电源、工业电源适配器、LED驱动电源以及家用电器中的辅助电源。它也适用于需要高压侧开关的电机驱动控制电路、电子镇流器和DC-AC逆变器等应用场景，为设计工程师提供了一个在性能与成本之间取得良好平衡的解决方案。

• 型号:STP4NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP4NB50是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件具备500V的漏源击穿电压（V_DSS）和3.8A（T_C）的连续漏极电流能力，为核心卖点提供了坚实的基础。

其核心优势在于优化的动态与静态性能。器件在10V驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值较低，配合仅21nC的栅极电荷（Q_g），有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了电源系统的整体效率。高达80W的功率处理能力和150°C的结温上限，确保了其在高压开关电源、电机驱动及照明电子等应用中的可靠性与耐用性。