STP8NK85Z

STP8NK85Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其标志性的SuperMESH产品系列。该器件采用先进的垂直DMOS结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低单位面积的导通损耗，同时确保在高压开关应用中的坚固性与可靠性，为电源转换系统提供了一个高效的能量开关解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达850V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等高压环境中的电压应力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为1.4欧姆（@3.35A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，提升开关频率潜力。其最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。

在接口与封装方面，STP8NK85Z采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以耗散高达150W（Tc）的功率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST代理商渠道，工程师依然可以获取库存或评估其同系列升级替代型号，以完成现有设计的维护或新项目的参考选型。

凭借其高压、低损耗的特性组合，该器件主要面向对效率和可靠性有高要求的离线式开关电源（SMPS）应用。典型应用场景包括服务器/通信电源、工业电源、大功率LED驱动以及电机控制辅助电源等。在这些领域中，它常被用作主开关管、有源钳位电路中的开关或PFC级开关，是实现高效电能转换、提升电源功率密度的关键元器件之一。

• 型号:STP8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP8NK85Z是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其850V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻（Rds(on)）特性，在10V栅极驱动下，典型导通电阻值仅为1.4欧姆，有效降低了功率传导损耗。

其设计兼顾了开关性能与鲁棒性，最大栅极电荷（Qg）为60nC，有助于实现高效的开关操作并简化驱动设计。器件采用TO-220AB封装，最大功耗可达150W，工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。这些参数使其成为高压、高效率开关电源设计的理想选择。