STP8NM50N

STP8NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻与高开关速度的平衡。其核心在于通过改进的单元几何结构和多外延工艺，显著降低了栅极电荷和内部电容，从而在保持高击穿电压的同时，提升了整体能效。这种架构特别适用于需要在高电压下进行快速开关操作的场合，为系统设计提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的显著特性包括高达500V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，确保了其在高压环境下的可靠运行。导通电阻在10V栅极驱动电压和2.5A漏极电流条件下，典型值仅为790毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在14nC，输入电容（Ciss）也较低，这使得开关过程中的能量损耗得以最小化，开关频率可以更高，从而有助于减小外围无源元件的尺寸。其栅源电压最大可承受±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，该器件在25°C管壳温度下的最大功率耗散为45W，结合其高达150°C的结温工作范围，展现了出色的热性能和鲁棒性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。标准的TO-220AB通孔封装不仅提供了便利的安装方式，其金属背板也利于通过散热器进行高效的热管理。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STP8NM50N非常适合于开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、高压DC-DC转换器以及电机驱动和照明镇流器等应用。在这些场景中，它能够有效提升系统效率，简化热设计，并增强整体方案的可靠性，是工业控制、消费电子和汽车电子等领域中高压功率转换任务的理想选择。

• 型号:STP8NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP8NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为500V漏源电压和5A连续漏极电流，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻低至790毫欧，有效降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（14nC）和输入电容确保了高速开关能力，有助于提升开关电源和功率转换电路的效率与频率。高达150°C的结温与45W的功率耗散能力，则保证了其在严苛环境下的稳定运行。