STP90N55F4

STP90N55F4是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心设计通过精细的单元几何结构和沟槽栅极工艺，在单位面积内实现了更高的电流密度，从而在紧凑的TO-220AB封装内提供了高达90A的连续漏极电流处理能力，同时将导通电阻（R_DS(on)）显著降低至8毫欧的典型值。

这款MOSFET的功能特性突出体现在其高效率与强健性上。55V的漏源击穿电压（V_DSS）使其非常适用于中压应用环境，而仅需10V的栅极驱动电压即可实现完全导通，这简化了驱动电路的设计并提升了系统效率。其栅极电荷（Q_g）典型值仅为90nC，结合适中的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。此外，器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达150W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的长期可靠性。

在电气参数方面，STP90N55F4在10V V_GS和45A I_D条件下，导通电阻最大值仅为8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。通孔TO-220AB封装是工业标准封装，便于安装散热器以实现高效的热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其优异的性能组合，该器件是众多功率转换和电机控制应用的理想选择。典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统、电机驱动控制器（如电动工具、风扇和泵）以及高效的同步整流电路。其高电流处理能力和低导通电阻特性，使其在需要高功率密度和高效率的现代电子系统中扮演着关键角色。

• 型号:STP90N55F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP90N55F4是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件隶属于先进的DeepGATE和STripFET产品系列，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力。

其关键电气参数包括55V的漏源电压（Vdss）和高达90A（Tc）的连续漏极电流。在10V栅极驱动下，导通电阻（RdsOn）最大值低至8毫欧（@45A），这能显著降低功率损耗并提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）典型值为90nC，支持快速的开关频率，适用于高效率的开关电源设计。

该MOSFET工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为150W（Tc），结合标准TO-220封装带来的良好散热特性，确保了其在严苛应用环境下的高可靠性和稳定性。