STP95N04

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STP95N04是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率器件，其核心架构基于先进的平面工艺。该器件采用通孔TO-220AB封装，内部通过优化的单元结构设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡，从而有效降低传导损耗并提升系统效率。

该器件在10V栅极驱动电压下，能够提供高达80A的连续漏极电流承载能力，而其导通电阻在40A电流条件下可低至6.5毫欧，这一特性对于大电流开关应用至关重要，能显著减少功率损耗和发热。其栅极电荷最大值仅为54nC，结合2200pF的输入电容，意味着器件具备快速的开关响应速度，有利于在高频开关电路中工作，减少开关过渡过程中的能量损失。

在电气参数方面，STP95N04的漏源击穿电压额定值为40V，栅源电压可承受±20V，确保了在常见低压电源环境下的可靠性与安全性。其阈值电压最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件的最大功率耗散为110W，结合其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C），使其能够在苛刻的热环境中稳定运行。用户可通过正规的ST代理渠道获取该产品的详细技术资料与支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速的开关特性，该MOSFET非常适用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动电路（如电动工具、风扇控制）、电源管理系统中的同步整流和负载开关，以及各类汽车电子和工业控制系统中的功率开关单元。其TO-220封装形式也便于在需要散热设计的板上进行安装与热管理。

• 型号:STP95N04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP95N04是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，属于其STripFET产品系列。该器件设计用于处理高电流开关任务，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值6.5mΩ @ 40A, 10V）和高达80A的连续漏极电流能力，能有效最小化功率损耗。

此外，该MOSFET具备40V的漏源电压额定值，以及优化的栅极电荷（54nC）和输入电容特性，确保了快速高效的开关性能。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗110W，适合在要求高可靠性和高效能的功率电子应用中使用。