STW8N120K5

STW8N120K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高阻断电压与低导通损耗之间的卓越平衡，其核心在于通过创新的单元结构和外延层工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了出色的开关特性。这种架构使得器件在高压大电流工作条件下，能够有效管理功率密度和热性能，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET具备一系列突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达1200V，确保了在工业级AC-DC电源、光伏逆变器等高压应用中的可靠隔离与安全裕量。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，分别典型值为13.7nC和505pF，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度并简化栅极驱动电路的设计。器件在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）为6A，最大功率耗散可达130W，并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，展现了强大的鲁棒性和热管理能力。

在接口与参数方面，STW8N120K5采用标准的TO-247通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热传导。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，具备良好的噪声抑制能力。用户可通过ST中国代理获取详细的数据手册、应用笔记以及仿真模型，以进行精确的电路设计和性能评估。这些详尽的参数为工程师在计算开关损耗、设计驱动电路和散热系统时提供了关键依据。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，该器件非常适用于要求严苛的功率电子应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、不间断电源（UPS）、工业电机驱动、太阳能微型逆变器以及电焊机等设备。在这些场景中，它能够有效提升系统的整体能效和功率密度，同时确保在恶劣环境下长期稳定运行，是开发下一代高效、紧凑型高压功率解决方案的理想选择。

• 型号:STW8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW8N120K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW8N120K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括1200V的漏源击穿电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），专为高压、高可靠性应用而设计。

其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V驱动电压下具有较低的导通电阻和栅极电荷（典型值13.7nC），这有助于显著降低开关损耗和导通损耗，提升系统效率。同时，其最大结温高达150°C，功率耗散能力为130W，确保了在严苛热环境下的稳定运行。

总体而言，STW8N120K5通过平衡高压耐受能力与出色的开关性能，为目标应用提供了高效的功率开关解决方案。