STP95N2LH5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP95N2LH5是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于其高性能的STripFET V产品系列。该系列的核心架构旨在通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在紧凑的芯片面积内实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而显著提升功率转换效率并降低开关损耗。其内部结构经过精心布局，确保了在高压、大电流工作条件下的优异热性能和电气稳定性。

该器件在功能上展现出卓越的功率处理能力，其漏源击穿电压（Vdss）为25V，并在壳温（Tc）条件下支持高达80A的连续漏极电流。其最突出的电气特性之一在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和40A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为4.9毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V，配合最大13.4nC的低栅极电荷（Qg），使得器件能够被快速驱动，有效减少了开关过程中的延迟和损耗，非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STP95N2LH5采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以应对高达80W（Tc）的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±22V，提供了足够的驱动安全裕量。尽管该型号目前已处于停产状态，但在其生命周期内，它凭借优异的性能指标，成为许多电源设计中的关键组件。对于需要寻找替代方案或库存支持的工程师，可以咨询专业的ST芯片代理以获取相关支持。

基于其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，该MOSFET广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括低压大电流的DC-DC同步整流电路、电机驱动中的H桥或半桥拓扑、服务器和通信设备的电源模块，以及电池保护板和功率工具等。在这些应用中，它能够有效降低系统温升，提升整体能效比和可靠性。

• 型号:STP95N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP95N2LH5是ST意法半导体STripFET V系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于低压、大电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值4.9毫欧 @ 10V， 40A）与低栅极电荷（最大值13.4nC @ 5V）的出色结合，这使其在导通损耗和开关损耗方面均表现优异。

该MOSFET的额定漏源电压为25V，在壳温条件下可支持高达80A的连续电流，最大功率耗散为80W。其采用TO-220AB通孔封装，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效电源转换等应用的理想选择。