STP9NK50Z

STP9NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH系列N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220AB通孔封装。该器件基于先进的垂直DMOS结构设计，通过优化单元密度和沟道技术，在高压应用中实现了低导通电阻与高开关效率的出色平衡。其核心架构旨在最小化传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体能效和功率密度至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其500V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级AC-DC转换和电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达7.2A，配合仅850毫欧（在3.6A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下极低的功率耗散。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。

在动态性能方面，STP9NK50Z表现出色。其最大栅极电荷（Qg）仅为32nC（在10V条件下），结合910pF的典型输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的充电电流更小，有助于简化栅极驱动设计并降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。器件支持高达±30V的栅源电压，增强了驱动灵活性。其结温工作范围宽广，从-55°C延伸至150°C，并能在壳温110W的最大功率耗散下稳定运行，展现了强大的鲁棒性和热管理潜力。

凭借这些技术参数，该器件非常适合应用于开关模式电源（SMPS）的PFC和主开关电路、照明镇流器、工业电机控制以及UPS系统等场合。在这些应用中，其高耐压、低导通损耗和良好的开关特性有助于构建高效、紧凑且可靠的功率转换解决方案。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过正规的ST授权代理进行采购，是确保获得正品器件和完整应用支持的重要途径。

• 型号:STP9NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP9NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）和7.2A的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化的技术实现了低至850毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围和110W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。