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ST901T

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,ST901T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ST901T的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST901T是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管,采用经典的TO-220-3通孔封装,专为高电压、大电流的开关及线性放大应用而设计。其核心架构基于达林顿对管结构,这种设计将两个NPN晶体管直接耦合,实现了极高的电流增益,使得微弱的基极驱动电流即可控制数安培的集电极负载电流,显著简化了前级驱动电路的设计复杂度,并提升了整体系统的可靠性。

该器件的功能特点突出体现在其优异的电气参数上。高达350V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业电源、电机控制等场合中常见的电压应力。4A的连续集电极电流能力结合100W的最大功耗,确保了其在功率转换和线性调节应用中的强劲输出。其饱和压降典型值在2A电流下仅为2V,这意味着在导通状态下的功率损耗较低,有助于提升系统效率。此外,高达1800的最小直流电流增益(hFE)是其作为达林顿管的核心优势,使得驱动变得极为简易。对于需要可靠元器件供应的设计团队,可以通过专业的ST芯片代理获取稳定的货源和技术支持。

在接口与参数方面,ST901T提供了稳健的性能边界。其集电极截止电流低至100A,有助于降低关断状态下的功耗。高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了其良好的热稳定性和环境适应性,适合在要求苛刻的工业环境中持续运行。标准的TO-220封装不仅便于安装和散热管理,也使其与广泛使用的散热器和PCB布局兼容。

基于上述特性,ST901T非常适用于多种中高功率应用场景。它是开关电源(SMPS)中功率开关、电子镇流器以及逆变器桥臂的理想选择。在电机驱动领域,可用于有刷直流电机或步进电机的H桥驱动电路。此外,在音频放大器的功率输出级、线性稳压电源的调整管,以及各种继电器、电磁阀的驱动电路中,其高增益和高耐压的特性都能发挥关键作用,为工程师提供了一个可靠、高效且易于实施的功率开关解决方案。

  • 型号:ST901T
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):350 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):2V @ 20mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1800 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大值:100 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取ST901T的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

ST901T是ST意法半导体生产的一款有源、高性能NPN达林顿功率晶体管。该器件采用TO-220-3通孔封装,核心优势在于其350V的高集射极击穿电压4A的连续集电极电流能力,能够胜任严苛的功率处理任务。

其达林顿结构带来了极高的直流电流增益(hFE最小值1800),仅需微小基极电流即可驱动安培级负载,极大简化了驱动电路设计。同时,100W的最大功耗150°C的最高结温确保了其在高温、高功率环境下的稳定性和可靠性,适用于开关电源、电机驱动及线性放大等多种中高功率应用场景。

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