STP9NK60ZFP

STP9NK60ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其内部架构旨在最大限度地降低栅极电荷和输出电容，这对于提升开关速度和降低开关损耗至关重要，使其在硬开关和软开关拓扑中均能表现出优异的动态性能。

该MOSFET的核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至950毫欧的导通电阻（Rds(on)）的卓越组合。在10V的栅极驱动电压下，其最大导通电阻值确保了在高达7A（Tc）的连续漏极电流下，通态损耗被控制在极低水平。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为53nC，结合1110pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，这不仅简化了栅极驱动设计，还有助于提升系统的整体开关频率和效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，STP9NK60ZFP的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平兼容器件，便于由常见的PWM控制器直接或通过简单电路驱动。其封装采用TO-220FP（绝缘型TO-220），这种封装在提供高达30W（Tc）功率耗散能力的同时，实现了管脚与安装散热片之间的电气隔离，简化了系统装配并提升了安全性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗和供应链可靠的重要途径。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及电子镇流器等应用场景。它在反激、正激、半桥等主流拓扑中都能有效降低导通和开关损耗，有助于设计出更紧凑、更高效的电源解决方案，满足工业控制、家用电器和照明系统等领域的需求。

• 型号:STP9NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STP9NK60ZFP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP9NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和7A连续漏极电流（Tc），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为950毫欧，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值53nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换电路中高效功率开关的理想选择。