STPLED524

STPLED524是ST意法半导体推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术制造，封装于标准TO-220通孔封装中，为工程师在高压开关应用中提供了一个可靠且高效的选择。其核心架构基于优化的单元设计，实现了525V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至2.6欧姆的导通电阻（Rds(on)）之间的出色平衡，这确保了器件在关断状态下能承受高电压应力，同时在导通时保持较低的功率损耗。

该器件在25°C壳温（Tc）条件下可提供高达4A的连续漏极电流，其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±30V，提供了充足的驱动裕量和抗干扰能力。其动态特性同样优异，在10V Vgs条件下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为12nC，配合340pF（@100V Vds）的输入电容，意味着开关速度快，开关损耗低，特别适合工作在高频开关模式下的电源电路。其功率处理能力强劲，最大功耗可达45W（Tc），并且结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的稳定运行。

在接口与参数方面，STPLED524的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。TO-220封装形式便于安装散热器，是实现高效热管理的理想选择。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。综合其高压、低导通电阻、快速开关和宽温工作的特性，这款MOSFET非常适用于开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及LED照明驱动等应用场景，能够有效提升系统整体的能效和功率密度。

• 制造商产品型号：STPLED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
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STPLED524是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于高达525V的漏源击穿电压（Vdss）与4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.6欧姆（@2.2A），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）小，开关速度快，能有效提升高频开关电源的效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于开关电源、电机驱动等高要求领域。