STPS660CB-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款表面贴装型肖特基二极管阵列。该器件采用一对共阴极配置,将两个独立的肖特基二极管集成在同一个TO-252-3(DPak)封装内,这种架构有效节省了PCB空间,简化了电路板布局,特别适用于需要紧凑型设计的电源管理电路。其核心基于肖特基势垒技术,利用金属-半导体结实现整流功能,相较于传统的PN结二极管,其优势在于具有极低的正向压降和极快的开关速度。
在电气性能方面,该器件展现出显著的特点。其最大反向重复电压(VRRM)为60V,每个二极管可承受的平均整流电流(IO)高达3A。尤为突出的是,在3A的额定电流下,其典型正向压降(VF)仅为650mV,这一低VF特性直接转化为更低的热损耗和更高的系统效率。同时,它具备快速恢复特性,反向恢复时间极短(通常小于500ns),这使其在高频开关应用中能够有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。此外,在60V反向电压下,其典型反向漏电流(IR)低至30A,体现了良好的反向阻断能力。器件的最高结温(TJ)为125°C,确保了在宽温度范围内的可靠工作。
该芯片采用标准的DPak封装,具有良好的散热性能,其接片(Tab)通常连接到阴极,便于通过PCB铜箔进行有效的热管理。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以联系ST中国代理获取更详细的产品资料和供应链信息。凭借其集成化设计、高效率与快速开关性能,STPS660CB-TR非常适合应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)的次级侧整流、极性保护以及电机驱动电路中的续流二极管等场景,是提升功率密度和能效比的优选元件。
STPS660CB-TR是ST意法半导体生产的一款表面贴装肖特基二极管阵列,采用一对共阴极配置,集成于TO-252-3(DPak)封装内。该器件专为高效率、高频率应用而设计,其核心优势在于极低的正向压降(典型值650mV @ 3A)和快速的开关速度(快速恢复),这有助于显著降低导通损耗和开关损耗,提升整体电源转换效率。
该二极管阵列提供60V的最大反向电压和每二极管3A的平均整流电流能力,同时维持较低的反向漏电流(30A @ 60V)。其紧凑的封装和良好的热性能(最高结温125°C)使其成为空间受限且对热管理有要求的应用的理想选择,例如开关电源的次级整流、DC-DC转换器以及作为续流二极管使用。