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STPS660DDJFY-TR的图片

STPS660DDJFY-TR

ST图标
二极管 - 整流器 - 阵列
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V PWRFLAT
原厂封装:封装:8-PowerVDFN
优势价格,STPS660DDJFY-TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPS660DDJFY-TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPS660DDJFY-TR是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款采用PowerFLAT 8x8封装的双通道肖特基整流二极管阵列。该器件隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列,专为在严苛的电气和热环境中实现高可靠性运行而设计。其核心架构基于两个独立的肖特基势垒二极管,采用先进的半导体工艺制造,旨在提供极低的正向压降和快速开关特性,从而显著降低功率损耗并提升系统效率。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其最大反向重复电压达到60V,每个二极管可承受3.5A的平均整流电流,能够满足中等功率应用的需求。其关键优势在于极低的正向导通压降,在6A的测试条件下典型值仅为800mV,这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时,它具备快速的开关速度,反向恢复时间极短,这使其在高频开关电路中表现卓越,能有效减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。其反向漏电流在60V时典型值控制在150A,确保了在关断状态下的高阻断能力。

在接口与参数方面,STPS660DDJFY-TR采用表面贴装型(SMT)的8-PowerVDFN封装,该封装具有优异的热性能,其紧凑的尺寸有助于节省PCB空间。其工作结温范围宽达-40°C至175°C,确保了在极端温度环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的设计项目,通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障正品和获取全面技术资料的有效途径。

得益于其汽车级的品质认证和稳健的性能,该器件非常适合应用于对可靠性和效率有高要求的场景。典型的应用领域包括汽车电子系统中的DC-DC转换器、电机驱动电路、反极性保护以及作为续流二极管使用。此外,在工业电源、通信设备电源模块以及各类消费电子产品的电源管理单元中,它也能发挥重要作用,特别是在需要高效率、快速响应和紧凑布局的设计中,STPS660DDJFY-TR是一个值得考虑的解决方案。

  • 制造商产品型号:STPS660DDJFY-TR
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V PWRFLAT
  • 系列:二极管 - 整流器 - 阵列
  • 产品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态:有源
  • 二极管配置:2 个独立式
  • 二极管类型:肖特基
  • 电压-DC反向(Vr)(最大值):60V
  • 电流-平均整流(Io)(每二极管):3.5A
  • 不同If时电压-正向(Vf):800mV @ 6A
  • 速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:150A @ 60V
  • 工作温度-结:-40°C ~ 175°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:8-PowerVDFN
  • 想获取STPS660DDJFY-TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPS660DDJFY-TR是ST意法半导体生产的一款汽车级(AEC-Q101)双通道肖特基二极管阵列,采用PowerFLAT 8x8表面贴装封装。该器件集成了两个独立的肖特基二极管,每个二极管具备60V的最大反向电压和3.5A的平均整流电流能力。

其核心电气特性表现为极低的正向导通压降(典型值800mV @ 6A)和快速的开关速度,这使其能够显著降低功率损耗并提升高频开关电源的效率。同时,其宽工作结温范围(-40°C 至 175°C)和低反向漏电流(150A @ 60V)确保了在苛刻环境下的高可靠性和稳定性。

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