STP7LN80K5

STP7LN80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡，其核心在于通过创新的单元结构和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关特性。这种架构使其在高压工作条件下，能够有效管理电场分布，从而确保了器件的长期可靠性和稳定性。

该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、2.5A漏极电流条件下的典型导通电阻仅为1.15欧姆，较低的R_{DS(on)直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值低至12nC（@10V），结合270pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有利于提升高频开关电源的工作频率和功率密度。}

在接口与参数层面，STP7LN80K5设计有±30V的最大栅源电压（V_GS）容限，提供了宽裕的驱动安全裕度。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下可达5A，最大功耗为85W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至150°C，展现了强大的电流处理能力和宽温工作适应性。器件采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，便于安装在散热器上以实现高效的热管理。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购与咨询。

得益于其高耐压、低损耗和快速开关的综合优势，STP7LN80K5非常适用于要求苛刻的功率转换场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、以及UPS（不间断电源）和电焊机等设备的功率级。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减小系统体积，并增强整体可靠性。

• 型号:STP7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP7LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件核心特性在于其800V的漏源电压（Vdss）额定值以及5A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括在10V驱动电压下仅1.15欧姆的最大导通电阻（RdsOn），以及低至12nC的栅极电荷（Qg），这共同确保了较低的传导损耗和出色的开关效率。器件采用TO-220通孔封装，最大功耗85W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的功率处理能力和环境适应性。