STPSC10H065B-TR

STPSC10H065B-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽禁带半导体材料碳化硅，其核心架构摒弃了传统硅基PN结二极管的设计，利用金属-半导体结形成肖特基势垒，从而在根本上消除了少数载流子存储效应。这一物理特性是实现其卓越开关性能的基础，使其在高压、高频应用场景中展现出显著优势。

得益于碳化硅肖特基架构，该二极管具备零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）的关键特性。这意味着在开关转换过程中，器件从导通状态切换到阻断状态时，没有因电荷抽取而产生的电流尖峰和能量损耗。这一特性对于提升开关电源的效率、降低电磁干扰（EMI）以及简化缓冲电路设计至关重要。同时，其650V的最大反向重复电压（VRRM）和10A的平均正向电流（IF(AV)）额定值，确保了在严苛工况下的可靠运行。

在电气参数方面，STPSC10H065B-TR在10A正向电流下的典型正向压降（VF）为1.75V，这一数值在碳化硅二极管中具有竞争力，有助于降低导通损耗。其反向漏电流在650V、150°C结温下典型值仅为100A，体现了出色的高温阻断能力。此外，其结电容（Cj）在0V偏压下为480pF（@1MHz），较低的电容值有利于高频开关操作。该器件采用标准的表面贴装DPAK（TO-252-3）封装，具有良好的散热性能和便捷的装配工艺，用户可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

综合其技术特性，该二极管主要面向对效率和功率密度有极高要求的应用场景。它非常适合用作功率因数校正（PFC）电路中的升压二极管，能够显著提升整机效率并允许使用更高的开关频率以减小无源元件体积。在太阳能逆变器、服务器电源、通信电源以及电动汽车车载充电机（OBC）等中高功率开关电源拓扑中，其零反向恢复的特性能够有效降低开关损耗和应力，提升系统可靠性并简化热管理设计，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:STPSC10H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC10H065B-TR是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款650V/10A肖特基势垒二极管。其核心价值在于利用宽禁带半导体材料的物理特性，实现了传统硅快恢复二极管无法比拟的开关性能。

该器件标称反向恢复时间为0ns，从根本上消除了反向恢复损耗和相关的开关噪声，这对于高频、高效开关电源设计至关重要。其650V的耐压和10A的电流能力，结合DPAK封装带来的良好热性能，使其能够胜任工业级功率应用的严格要求。