STPSC10H065G-TR

STPSC10H065G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，采用先进的宽禁带半导体技术。该器件基于碳化硅材料体系构建，其核心优势在于从根本上消除了传统硅基快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（UFRD）中固有的PN结反向恢复电荷问题。这一特性使其在开关过程中，特别是从正向导通到反向阻断的转换期间，不会产生由少数载流子复合引起的反向恢复电流尖峰和相应的开关损耗，从而实现了近乎理想的开关特性。

该二极管具备650V的反向重复峰值电压和10A的平均正向电流能力，在10A的额定电流下，其典型正向压降仅为1.75V，表现出优异的导通特性。其反向恢复时间（trr）理论值为0纳秒，这并非指绝对零时间，而是强调其作为单极性器件，开关行为由多数载流子主导，不存在少数载流子的存储与抽取过程，因此没有传统意义上的“恢复”时间。这一特性对于提升高频开关电源的效率至关重要。同时，在650V的反向电压下，其反向漏电流典型值低至100A，确保了高温下的高阻断能力与可靠性。其采用标准的表面贴装DPAK（TO-263-3）封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购。

在电气参数方面，除了优异的静态与动态性能，其结电容特性也值得关注。在零偏压、1MHz测试条件下，典型电容值为480pF。较低的结电容有助于进一步降低高频开关过程中的容性开通损耗，提升整体能效。其无反向恢复电流的特性使得它在与功率开关管（如MOSFET、IGBT或SiC MOSFET）并联续流或用于桥式电路时，能显著降低开关损耗、抑制电压过冲和电磁干扰（EMI），简化缓冲电路设计。

基于其高性能，STPSC10H065G-TR非常适用于对效率、功率密度和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括服务器/数据中心电源、通信电源、工业电机驱动中的PFC（功率因数校正）电路和逆变器续流二极管、太阳能光伏逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）及DC-DC转换器、不间断电源（UPS）等高功率开关电源系统。在这些应用中，它能够帮助系统实现更高的开关频率（可达数百kHz甚至MHz范围），从而减小无源元件（如电感、变压器）的体积和重量，提升功率密度，同时保持极高的转换效率，满足日益严苛的能效标准。

• 型号:STPSC10H065G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC10H065G-TR是ST意法半导体生产的一款650V/10A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了近乎零反向恢复时间（0ns）的卓越开关性能，从根本上消除了传统硅二极管因反向恢复电荷导致的开关损耗和噪声问题。

其核心电气参数包括：在10A正向电流下典型正向压降为1.75V，确保了较低的导通损耗；在650V反向电压下漏电流仅为100A，提供了高温下稳定的阻断能力。这些特性使其成为追求高效率、高频率和高可靠性的功率转换应用的理想选择。