STPSC10H12G-TR

STPSC10H12G-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管，采用先进的宽禁带半导体技术。该器件采用TO-263-3（D2PAK）表面贴装封装，属于ECOPACK环保产品系列，专为要求高效率、高频率和高可靠性的现代功率电子应用而设计。其核心架构基于碳化硅材料，相比传统硅基快恢复二极管，在高温、高压和高开关频率下表现出显著优势，是实现系统小型化和提升能效的关键元件。

该二极管的核心特性在于其零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。这一特性从根本上消除了传统硅PN结二极管在关断过程中因少数载流子复合而产生的反向恢复损耗和电流尖峰。这意味着在桥式拓扑或功率因数校正（PFC）电路中，它可以显著降低开关损耗，允许系统工作在更高的开关频率，从而减小磁性元件和滤波电容的体积与成本。同时，其高达1200V的反向重复峰值电压（VRRM）和10A的平均正向电流（IF(AV)）额定值，使其能够胜任中高功率等级的应用。

在电气参数方面，STPSC10H12G-TR在10A正向电流下的典型正向压降（VF）仅为1.5V，展现了碳化硅肖特基二极管低导通损耗的特性。在1200V反向电压下，其反向漏电流（IR）典型值仅为60A，确保了关断状态下的高阻断能力和低静态功耗。此外，其结电容（Cj）在0V偏压和1MHz测试条件下为725pF，有助于实现更快的开关瞬态。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

得益于其优异的性能组合，这款器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和电信设备的开关模式电源（SMPS）、太阳能光伏逆变器中的升压或逆变级、电动汽车车载充电机（OBC）和直流-直流变换器，以及工业电机驱动和不间断电源（UPS）系统中的续流或整流电路。在这些应用中，它能够有效提升系统整体效率，降低热管理需求，并增强长期运行的可靠性。

• 型号:STPSC10H12G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):10A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:725pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC10H12G-TR是意法半导体基于碳化硅技术制造的肖特基势垒整流二极管，采用D2PAK（TO-263-3）表面贴装封装。该器件额定值为1200V反向电压与10A平均正向电流，专为高效、高频功率转换而优化。

其核心优势在于具备零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），可彻底消除传统二极管关断时的反向恢复损耗与电流振荡，从而大幅降低开关损耗并提升系统效率。结合其1.5V@10A的低正向压降和高温稳定性，使其成为提升电源功率密度和可靠性的理想选择。