STPSC12H065CT

STPSC12H065CT是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）技术的肖特基二极管阵列。该器件采用先进的宽带隙半导体材料，其核心架构基于一对共阴极配置的碳化硅肖特基势垒二极管，集成在经典的TO-220-3通孔封装内。这种材料与结构的选择，从根本上决定了其卓越的高温、高压工作性能，相较于传统的硅基快恢复二极管，在开关损耗和反向恢复特性上实现了质的飞跃。

该二极管阵列的核心优势在于其出色的静态与动态特性。它具备高达650V的直流反向耐压（Vr）和每二极管6A的平均整流电流（Io）能力。在正向导通方面，其在6A电流下的典型正向压降（Vf）仅为1.75V，这有助于降低导通损耗，提升系统效率。尤为关键的是，作为碳化硅肖特基二极管，它本质上具有极低的反向恢复电荷，其恢复特性表现为快速恢复（≤ 500ns），且在高反向电压650V下，反向泄漏电流（Ir）典型值低至60A，这显著减少了开关过程中的能量损失和电磁干扰（EMI）。其宽泛的工作结温范围（-40°C 至 175°C）确保了在苛刻环境下的可靠性与稳定性。

在电气接口与参数层面，STPSC12H065CT的共阴极配置简化了在桥式电路拓扑中的布局与连接。TO-220封装提供了良好的机械强度和散热能力，便于通过散热器进行热管理。这些参数共同指向了对高效率和高功率密度的追求，使其能够胜任高频开关应用。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能指标，该器件非常适合应用于要求高效率、高频率和高温稳定性的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路、工业电机驱动的逆变器续流或钳位二极管、太阳能逆变器中的升压或逆变单元，以及电动汽车车载充电机（OBC）等。在这些应用中，STPSC12H065CT能够有效降低系统总损耗，提升功率密度，并允许使用更小的磁性元件，从而助力设计出更紧凑、更高效的下一代电力电子设备。

• 型号:STPSC12H065CT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
• 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 6A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 二极管配置:1 对共阴极
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:6A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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STPSC12H065CT是ST意法半导体推出的一款650V/6A碳化硅肖特基二极管阵列，采用TO-220-3封装和1对共阴极配置。该器件利用碳化硅材料的宽带隙特性，实现了极低的反向恢复电荷和快速开关性能（≤ 500ns），能显著降低高频开关应用中的开关损耗和电磁干扰。

其电气参数表现优异，在6A电流下正向压降仅为1.75V，有助于减少导通损耗；在650V反向电压下泄漏电流低至60A。同时，它支持-40°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在高环境温度或高功率密度设计中的可靠运行。这些特性使其成为提升工业电源、新能源逆变及汽车电子等应用效率与功率密度的理想选择。