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TS372IDT的图片

TS372IDT

ST图标
集成电路(IC) > 线性 > 比较器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC COMPARATOR 2 DIFF 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TS372IDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TS372IDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TS372IDT是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能、低功耗双路电压比较器。该器件采用先进的CMOS工艺制造,集成了两个独立的精密比较器,其核心架构旨在提供高精度与低功耗的卓越平衡。每个比较器均具备差分输入级,能够精确检测毫伏级的电压差异,其输入级设计有效抑制了共模信号干扰,确保了在复杂噪声环境下的信号判别可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其极低的功耗与宽泛的工作电压范围上。静态电流最大值仅为375A,使其非常适用于电池供电或对功耗有严格要求的便携式设备。其供电范围覆盖单电源3V至16V或双电源±1.5V至±8V,为设计提供了高度的灵活性,能够兼容从标准3.3V/5V逻辑电平到更高工业电压的各种系统。其输出级采用开路漏极结构,兼容CMOS、MOS和TTL逻辑电平,用户可通过上拉电阻轻松适配不同的系统电压,实现灵活的接口连接。

在关键的接口与性能参数方面,TS372IDT表现出优异的输入特性,输入偏置电流典型值低至皮安(pA)级别,最大输入失调电压在5V供电下仅为10mV,这保证了高阻抗信号源下的测量精度和比较阈值的一致性。其输出可提供高达20mA的灌电流能力,能够直接驱动LED、小型继电器或作为微控制器的中断信号源。器件采用标准的8引脚SOIC封装,支持表面贴装工艺,便于自动化生产并节省电路板空间。其宽工作温度范围(-40°C至125°C)确保了在工业控制、汽车电子及户外设备等严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目,通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品与供货稳定的重要途径。

基于其综合性能,TS372IDT的应用场景十分广泛。它非常适合用于电源监控电路,如电池欠压/过压检测、电源排序与故障保护。在传感器接口电路中,可用于窗口比较器,将模拟传感器信号(如温度、光照、压力)转换为清晰的数字逻辑信号。此外,在方波生成、脉冲宽度调制(PWM)以及各类消费电子、工业自动化控制系统中,其低功耗和高可靠性的特点都能得到充分发挥,是工程师设计高能效、高精度阈值检测电路的优选器件。

  • 型号:TS372IDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 比较器
  • 描述:IC COMPARATOR 2 DIFF 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 类型:差分
  • 元件数:2
  • 输出类型:CMOS,MOS,开路漏极,TTL
  • 电压 - 供电,单/双(±):3V ~ 16V,±1.5V ~ 8V
  • 电压 - 输入补偿(最大值):10mV @ 5V
  • 电流 - 输入偏置(最大值):1pA
  • 电流 - 输出(典型值):20mA
  • 电流 - 静态(最大值):375A
  • CMRR,PSRR(典型值):-
  • 传播延迟(最大值):-
  • 滞后:-
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 想获取TS372IDT的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

TS372IDT是ST意法半导体生产的一款有源、双通道、低功耗CMOS电压比较器。该器件采用差分输入设计,提供CMOS、MOS、开路漏极及TTL兼容的多功能输出,具备出色的灵活性和接口能力。

其核心优势在于极低的功耗与宽广的适应性。器件在单电源3V至16V或双电源±1.5V至±8V范围内均可工作,最大静态电流仅为375A,非常适合电池供电应用。同时,它具备优异的输入特性,最大输入偏置电流低至1pA,在5V供电下输入失调电压最大为10mV,确保了高精度比较。封装形式为8-SOIC表面贴装,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,满足工业级可靠性要求。

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