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STPSC20065D

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
原厂封装:封装:TO-220AC
优势价格,STPSC20065D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STPSC20065D的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STPSC20065D是ST意法半导体基于先进的碳化硅(SiC)材料技术开发的一款高性能肖特基势垒二极管。该器件采用优化的肖特基结构,其核心优势在于完全消除了传统硅基快恢复二极管中固有的少数载流子存储效应,从而实现了理论上为零的反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr)。这一特性从根本上解决了开关电源中因二极管反向恢复过程导致的开关损耗大、电磁干扰严重以及电压尖峰过高的问题,为高效率、高频率的功率转换设计奠定了物理基础。

在功能表现上,该二极管具备650V的高反向击穿电压20A的连续正向平均电流能力,确保了其在高压大电流应用中的可靠性。其正向压降(Vf)在20A的额定电流下典型值仅为1.45V,较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。得益于碳化硅材料的宽禁带特性,器件在高温下的性能衰减极小,反向漏电流在650V全额定电压和高温条件下仍能维持在极低的微安级别,表现出优异的热稳定性和可靠性。其开关行为近乎理想,没有反向恢复电流尖峰,这简化了缓冲电路设计,并允许使用更小的磁性元件和滤波电容。

在接口与参数方面,STPSC20065D采用工业标准的TO-220AC通孔封装,便于安装和散热。其结电容在0V偏置和1MHz测试条件下为1250pF,较低的电容值有助于减少高频开关过程中的损耗。该器件属于ST的ECOPACK2系列,符合环保法规要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取正品器件、详细数据手册以及设计协助。

该芯片非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的开关模式电源(SMPS)中的功率因数校正(PFC)电路、光伏逆变器中的升压或续流二极管、不间断电源(UPS)以及工业电机驱动中的整流和钳位环节。其零反向恢复的特性使其成为LLC谐振转换器、有源钳位反激等软开关拓扑中次级侧同步整流管理的理想选择,能够充分发挥拓扑的高频优势,实现紧凑、高效的电能转换解决方案。

  • 型号:STPSC20065D
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AC
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):20A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 20 A
  • 速度:零恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:300 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:1250pF @ 0V,1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:TO-220AC
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • 想获取STPSC20065D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STPSC20065D是ST意法半导体推出的一款650V/20A碳化硅肖特基二极管,采用TO-220AC封装。该器件的核心价值在于其基于宽禁带半导体材料,实现了理论上为零的反向恢复时间与反向恢复电荷,彻底消除了传统硅二极管开关过程中的拖尾电流问题。

其技术参数表现为:在20A额定电流下,正向压降仅为1.45V,有助于降低导通损耗;在650V全额定电压下,反向漏电流极低,确保了高温下的高可靠性。这些特性使其能够显著降低开关损耗和电磁干扰,支持更高频率的开关操作。

因此,STPSC20065D专为追求高效率、高功率密度和高可靠性的功率转换系统而设计,是升级传统硅基二极管方案的理想选择。

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